，赵一创新最近几天宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mmtimes1.2mm USON6超小型塑封，在如此紧凑轻巧的空间内最大厚度仅为0.4mm，其功耗和电压范围进一步提升，为消费电子，可穿戴设备，物联网，便携式健康监测设备等应用提供了理想的选择对电池寿命和紧凑设计有严格要求
如今，伴随着5G，物联网，AI等技术的不断迭代，在笔记本相机，智能遥控器，智能健康手环等电池供电的应用场景中，赵一创新了和小静追求从未停止，这就对其中使用的存储产品提出了更高的要求
一方面，需要提供足够的代码存储空间，以满足设备的正常运行要求，另一方面，也需要在尺寸和功耗上精益求精，以适应电子设备小型化的趋势。
针对这一市场需求，赵一创新推出的GD25WDXK6SPI NOR Flash产品系列采用仅1.2mmtimes1.2mm超小型USON6封装，相比上一代1.5mmtimes1.5mm USON8封装产品将电路板面积减少了高达36%，为空间有限的产品提供了更大的设计自由度。
在低功耗设计方面，赵一创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在非常低的水平待机状态下，电流只有0.1mua，可以显著延长电子设备的电池寿命
此外，为了满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供了单通道和双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V的宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择最高时钟频率可达104MHz，具有10万次擦写寿命，有效数据存储期可达20年全量程支持—40℃ ~ 85℃
目前，赵一创新GD25WDxxK6系列512Kb~1Mb容量产品已全面量产，2Mb~4Mb容量产品可提供样片，预计8月中旬量产。
